SC1和SC2是半导体制造中常用的两种湿法清洗工艺，主要用于去除硅片表面的污染物。以下是它们的清洗原理：
SC1清洗原理
1. 组成与作用
清洗液成分：SC1由氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和水（H₂O）组成，典型比例为1:2:50（体积比）。
主要功能：去除硅片表面的颗粒污染物、有机物和部分金属杂质。
2. 清洗机理
氧化与腐蚀的协同作用：
H₂O₂的强氧化性：将硅片表面的自然氧化膜（SiO₂）氧化为更致密的氧化层，同时氧化有机物和金属污染物38。
NH₄OH的碱性腐蚀：腐蚀硅片表面的氧化层（SiO₂）和硅单质（Si），使附着的颗粒失去支撑而脱落。
动态平衡：氧化与腐蚀过程交替进行，氧化膜不断生成又被腐蚀，从而持续剥离污染物。
电性排斥作用：
碱性环境（NH₄OH）使硅片表面和颗粒表面带负电，产生静电排斥力，阻止颗粒重新吸附。
兆声波辅助（可选）：
高频兆声波（如950 kHz）通过液体振动产生高速流体冲击，增强颗粒剥离效率，尤其对微小颗粒（≥0.1 μm）效果显著。
3. 特点
适用污染物：颗粒、有机物、部分金属（如Al、Fe）。
局限性：无法有效去除自然氧化膜，且可能引入金属沾污（因碱性环境易吸附金属离子）。
SC2清洗原理
1. 组成与作用
清洗液成分：SC2由盐酸（HCl）、过氧化氢（H₂O₂）和水（H₂O）组成，典型比例为1:1:50（体积比）。
主要功能：去除硅片表面的金属离子（如Na⁺、Fe²⁺、Mg²⁺等）。
2. 清洗机理
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酸性络合作用：
HCl的酸性溶解：盐酸提供H⁺和Cl⁻，与金属离子反应生成可溶性氯化物（如FeCl₂、MgCl₂），同时抑制金属氧化物的附着。
H₂O₂的氧化作用：将金属污染物氧化为高价态（如Fe²⁺→Fe³⁺），增强与Cl⁻的络合能力，形成稳定的可溶性络合物。
低pH环境抑制颗粒吸附：
酸性条件下（pH 3-5.6），硅片表面带正电，与同样带正电的金属离子产生静电排斥，减少金属重新吸附。
氯离子的络合效应：
Cl⁻与金属离子（如Fe³⁺、Cu²⁺）形成络合物（如[FeCl₄]⁻、[CuCl₂]⁻），避免金属沉淀在硅片表面。
3. 特点
适用污染物：金属离子（如Na、Fe、Mg、Ca）。
局限性：无法去除颗粒或有机物，且可能腐蚀铝等金属层。
SC1与SC2的协同作用
典型清洗顺序：先SC1去除颗粒和有机物，再用SC2去除金属沾污。
互补性：SC1的碱性环境易吸附金属，而SC2的酸性环境可有效去除金属，两者配合可达到全面清洗效果。
工艺清洗液主要功能关键机理SC1NH₄OH + H₂O₂ + H₂O颗粒、有机物、部分金属氧化腐蚀、静电排斥、兆声波辅助SC2HCl + H₂O₂ + H₂O金属离子（Na、Fe、Mg等）酸性溶解、氧化络合、静电排斥
两者结合可高效清除硅片表面污染物，是半导体RCA清洗工艺的核心步骤。返回搜狐，查看更多